今年5月，，阿卜杜拉国王科学技术大学（KAUST）颁发开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，，外量子效能（EQE）有所提升，，对实现基于单一半导体资料的全彩化Micro LED显示器有重要的推作为用！！Ｔ诖嘶∩，，KAUST近期又获得了新的突破！！
据外媒报道，，KAUST开发了可在整个可见光光谱领域内高效发光的Micro LED（μLEDs）芯片，，实现Micro LED的全彩化！！Ｄ壳，，KAUST团队的有关论文已颁发在《光子学钻研》（Photonics Research）期刊上！！
据介绍，，氮合金是一种半导体资料，，通过正确的化学混合，，可能发出RGB三种色彩的光，，有助于Micro LED实现RGB全彩化显示！！Ｈ欢，，当氮化物芯片的尺寸缩小至微米级时，，发光效能也会随着变弱！！
KAUST钻研团队对此作出具体的诠释：缩小芯片尺寸面对的重要阻碍是在出产过程中LED结构的侧壁会被败坏，，而缺点的产生则会导致漏电，，进而影响芯片发光！！２⑶，，随着尺寸的微缩，，这种景象会越发显著，，因而LED芯片尺寸局限在400μm×400μm！！
不外，，KAUST团队在这个难题上实现了突破，，开发出高亮度InGaN红光Micro LED芯片，，尺寸为17μm×17μm！！
据悉，，钻研团队选取齐全校准的原子沉积技术研发出10×10的红光Micro LED阵列，，并通过化学处置解除了对LED芯片结构侧壁的危险！！Ｍü蛹豆鄄欤ū匾ㄒ倒ぞ呒把烦锉福，，钻研团队确认，，侧壁在经过化学处置后具备高结晶性！！
凭据钻研团队观察，，芯片理论每2平方毫米区域的输出功率高达1.76mW，，而以往的产品每2平方毫米区域的输出功率仅1mW，，相比之下，，新产品的输出功率显著提升，，意味着外量子发光效能显著提升！！Ｋ婧，，钻研团队将红光Micro LED芯片与InGaN蓝绿光Micro LED芯片结合，，以制作出广色域Micro LED器件！！
KAUST以为，，凭借高亮度、急剧响应速度、广色域、能耗低等利益，，InGaN Micro LED将是下一代Micro LED头戴式监督器、挪着手机、电视等设备的梦想规划！！Ｏ乱徊，，KAUST团队将进一步提升Micro LED的效能，，并将尺寸缩小至10μm以下！！
值妥贴心的是，，在实现InGaN基Micro LED全彩化的路线上，，晶能光电也获得了突破！！
据LEDinside相识，，晶能光电开发了硅衬底红光Micro LED芯片，，并成功制备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列！！２煌，，晶能也坦言，，目前其红光Micro LED芯片的外量子效能的测试伎俩还必要进一步优化！！
在更小尺寸Micro LED芯片技术上，，今年3月，，美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）也已颁发初次展示了尺寸小于10μm的InGaN基红光Micro LED芯片，，不外同样面对外量子发光效能低的问题！！＞菹，，这款芯片在晶圆丈量上测出的EQE仅为0.2%！！
UCSB指出，，Micro LED的外量子发光效能至少要达到2-5%，，才可能满足终端显示器的要求！！UCSB的下一步打算是改善资料质量，，优化出产步骤，，以实现外量子效能的提升！！
由此可见，，在推动Micro LED实现全彩化和商用化上，，各钻研团队仍有较长的一段路要走！！５上驳氖，，相比往年，，今年各方在Micro LED技术上获得的进展均对Micro LED产业拥有关键性的推作为用，，终端产品也逐步浮出水面，，意味着厂商和消费者离Micro LED又近了一点！！
起源：CINNO Research、LEDinside
2026-01-23 
